低消耗功率
B 为客户实现产品脱碳化作贡献
MOS FET继电器（高灵敏度型）
G3VM-61G2/61G3、
G3VM-201G1/201G2、G3VM-351G1、
G3VM-401G1、G3VM-601G1/601G、
G3VM-61VY4、G3VM-351VY1
通过以低消耗功率进行驱动的
“高灵敏度”继电器
为客户设备的
节能设计作贡献
为了应对环境问题，削减消耗功率的节能设计成为各种设备所面临的课题。为客户设备选定高灵敏度型继电器、降低元件本身的消耗功率也是环境对策之一。高灵敏度型MOS FET继电器可以被比传统产品还小的电流进行驱动，所以可为实现低消耗功率化作贡献。
传统产品与高灵敏度型的消耗功率差异
(基于各型号推荐运行条件算出)
*1. 传统产品与高灵敏度型的对比
【提供价值】
- 通过削减MOS FET继电器的驱动功率，可增加设备节能化的选项。
- ※ 从相同封装品替换时，无需变更贴装图案设计。 ※ 需根据所选MOS FET继电器的运行条件重新进行输入电流的设计（重置限制电阻值等）。
以低消耗功率驱动MOS FET继电器的结构
MOS FET继电器与机械式继电器不同，它采用以PDA单元接收LED单元发光能量的方式进行发电、由此使输出侧MOS FET运行的结构。而且，其消耗功率主要在于发光单元和受光单元。欧姆龙的高灵敏度型MOS FET继电器采用了提高作为受光单元的PDA单元的灵敏度后、即使LED单元发光能量较小也可通电的设计，由此实现了低消耗功率下的驱动。
MOS FET继电器内部结构 传统产品与高灵敏度型的差异
"欧姆龙的MOS FET继电器(高灵敏度型)代表机型产品阵容"
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*1. 传统产品与高灵敏度型的对比
- 高灵敏度型继电器具有以下各种型号：G3VM-61G2/61G3、G3VM-201G1/201G2、G3VM-351G1、G3VM-401G1、G3VM-601G1/601G、G3VM-61VY4、G3VM-351VY1。
详情请查看“高灵敏度型MOS FET继电器一览表(按额定电压)”。
