G3VM-□MT MOS FET继电器模块
- 新
漏电流1pA以下，有助于设备的高可靠性
- 负载电压 20V/60V/100V *1
- 具备T开关功能，实现fA等级的极小漏电流，有助于实现与以往干簧继电器同等的测量性能 *2
- 采用小型封装，有助于节省印刷电路板上的封装空间
*1. G3VM-21MT:高隔离型 (插入损耗 typ. -3dB@1GHz)
(隔离 typ. -20dB@1GHz_5针 ON状态下 GND连接时)
G3VM-61MT:高电流型 (连续负载电流Io=800mA)
G3VM-101MT:高耐压型 (负载电压Voff=100V)
*2. 测量条件 G3VM-21MT@Voff=20V, G3VM-61MT@Voff=50V, G3VM-101MT@Voff=80V
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可以从“型号一览”中确认带有 CAD 数据的型号。
商品目录
| 数据类型 | 文件名 | 更新日期 |
|---|---|---|
| 目录 | 目录 G3VM-□MT | |
| 注意事项 | MOS FET继电器 共通注意事项 | |
| 选型指南 | 选型指南 G3VM MOS FET RELAY 选型指南 | |
| 用语说明 | MOS FET继电器 用语说明 | |
| 产品文档 | MOS FET继电器 INDEX | |
| 技术解说 | The解決 [MOS FET 继电器篇] 会员専用 |
型号一览
刊载了各型号的相关信息。CAD数据、RoHS证书可在登录或注册会员后下载。
