G3VM-41QR10/61QR/61QR3 MOS FET继电器 S-VSON（L） 4针 低端子间电容＆低导通电阻型 (低C×R)
小型S-VSON（L）封装
实现低C×R的MOS FET继电器
注. 标记内容与实际产品有所不同。
- L2.0×W1.45×H1.3mm的S-VSON（L） 4针 小型封装，有助于节省基板空间
- 每个重量仅为0.01g，使基板更轻
- 负载电压 40V/60V
- G3VM-41QR10：凭借低C×R=4.95pF˙Ω、COFF（标准）=0.45pF、RON（标准）=11Ω，在高频段具有出色的输出特性
- G3VM-61QR/61QR3：凭借低C×R=13.2pF˙Ω、COFF（标准）=12pF、RON（标准）=1.1Ω，在高频段具有出色的输出特性
- G3VM-61QR3：实现动作时间0.25ms（最大）、复位时间0.2ms（最大）的高速响应
- 支持高温（使用环境温度：-40℃～110℃）
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此网页提供了产品规格书。有关详细信息，请参阅产品规格书及其他相关文件。
可以从“型号一览”中确认带有 CAD 数据的型号。
商品目录
| 数据类型 | 文件名 | 更新日期 |
|---|---|---|
| 目录 | 目录 G3VM-41QR10/61QR/61QR3 | |
| 注意事项 | MOS FET继电器 共通注意事项 | |
| 选型指南 | 选型指南 G3VM MOS FET RELAY 选型指南 | |
| 用语说明 | MOS FET继电器 用语说明 | |
| 产品文档 | MOS FET继电器 INDEX | |
| 技术解说 | The解決 [MOS FET 继电器篇] 会员専用 | |
| 软件 | 仿真模型 |
型号一览
刊载了各型号的相关信息。CAD数据、RoHS证书可在登录或注册会员后下载。
| 型号 | 2D/3D CAD*1 | ECAD*2 | 购买 | RoHS证书*3 | 生产状况 |
|---|---|---|---|---|---|
| G3VM-41QR10 | 登录/会员注册 | 登录/会员注册 | Download | 生产中 | |
| G3VM-41QR10(TR05) | 登录/会员注册 | 登录/会员注册 | Download | 生产中 | |
| G3VM-61QR | 登录/会员注册 | 登录/会员注册 | Download | 生产中 | |
| G3VM-61QR(TR05) | 登录/会员注册 | 登录/会员注册 | Download | 生产中 | |
| G3VM-61QR3 | 登录/会员注册 | 登录/会员注册 | Download | 生产中 | |
| G3VM-61QR3(TR05) | 登录/会员注册 | 登录/会员注册 | Download | 生产中 |
