G3VM-41QR10/61QR/61QR3 MOS FET继电器 S-VSON4针 低端子间电容&低导通电阻型 (低C×R)
小型S-VSON封装
实现低C×R的MOS FET继电器
- S-VSON(L)1.3×2.0×1.45mm、重量仅为0.01g的小型轻量封装,有助于节省基板空间。
- G3VM-41QR10:凭借低C×R=4.95pF・Ω、COFF(标准)=0.45pF、RON(标准)=11Ω,在高频段具有出色的输出特性
- G3VM-61QR/61QR3:凭借低C×R=13.2pF・Ω、COFF(标准)=12pF、RON(标准)=1.1Ω,在高频段具有出色的输出特性
- G3VM-61QR3:实现动作时间0.25ms(最大)、复位时间0.2ms(最大)的高速响应
- 可应对高温环境(使用环境温度:-40°C~110°C)
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商品目录
数据类型 | 文件名 | 更新日期 |
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目录 | 目录 G3VM-41QR10/61QR/61QR3 | |
注意事项 | MOS FET继电器 共通注意事项 | |
选型指南 | 选型指南 G3VM MOS FET RELAY 选型指南 | |
用语说明 | MOS FET继电器 用语说明 | |
产品文档 | MOS FET继电器 INDEX | |
技术解说 | The解決 [MOS FET 继电器篇] 会员専用 | |
软件 | 仿真模型 |
型号一览
刊载了各型号的相关信息。CAD数据、RoHS证书可在登录或注册会员后下载。
型号 | 2D/3D CAD*1 | ECAD*2 | 购买 | RoHS证书 | 生产状况 |
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