G3VM-41QR10/61QR/61QR3 MOS FET继电器 S-VSON4针 低端子间电容&低导通电阻型 (低C×R)

小型S-VSON封装
实现低C×R的MOS FET继电器

  • S-VSON(L)1.3×2.0×1.45mm、重量仅为0.01g的小型轻量封装,有助于节省基板空间。
  • G3VM-41QR10:凭借低C×R=4.95pF・Ω、COFF(标准)=0.45pF、RON(标准)=11Ω,在高频段具有出色的输出特性
  • G3VM-61QR/61QR3:凭借低C×R=13.2pF・Ω、COFF(标准)=12pF、RON(标准)=1.1Ω,在高频段具有出色的输出特性
  • G3VM-61QR3:实现动作时间0.25ms(最大)、复位时间0.2ms(最大)的高速响应
  • 可应对高温环境(使用环境温度:-40°C~110°C)

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商品目录

数据类型 文件名 更新日期
目录 目录 G3VM-41QR10/61QR/61QR3
注意事项 MOS FET继电器 共通注意事项
选型指南 选型指南 G3VM MOS FET RELAY 选型指南
用语说明 MOS FET继电器 用语说明
产品文档 MOS FET继电器 INDEX
技术解说 The解決 [MOS FET 继电器篇] 会员専用
软件 仿真模型

型号一览

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型号 2D/3D CAD*1 ECAD*2 购买 生产状况
G3VM-41QR10 登录/会员注册 登录/会员注册
生产中
G3VM-41QR10(TR05) 登录/会员注册 登录/会员注册
生产中
G3VM-61QR 登录/会员注册 登录/会员注册
生产中
G3VM-61QR(TR05) 登录/会员注册 登录/会员注册
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G3VM-61QR3(TR05) 登录/会员注册 登录/会员注册
生产中
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