G3VM-31QV□/61QV□□ MOS FET继电器 S-VSON(L),电压驱动型

较小级别的S-VSON(L)
封装,带电压驱动型
MOS FET继电器(输入侧
具有内部限流电阻)

  • 正向动作输入电压: 高/推荐值5 V(典型值),低/推荐值2.5 V(典型值)
  • 负载电压:30 V/60 V
  • G3VM-31QVH/L: 最大连续负载电流:1.5 A
  • G3VM-61QV2H/L:最大连续负载电流:1.0 A
  • G3VM-61QVH: 最大连续负载电流:0.4 A
  • 高环境动作温度:-40°C~+110°C

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商品目录

数据类型 文件名 更新日期
目录 目录 G3VM-31QV□/61QV□□
注意事项 MOS FET继电器 共通注意事项
选型指南 选型指南 G3VM MOS FET RELAY 选型指南
用语说明 MOS FET继电器 用语说明
产品文档 MOS FET继电器 INDEX
技术解说 The解決 [MOS FET 继电器篇] 会员専用
软件 仿真模型

型号一览

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型号 2D/3D CAD*1 ECAD*2 购买 生产状况
G3VM-31QVH 登录/会员注册 登录/会员注册
生产中
G3VM-31QVH(TR05)
生产中
G3VM-31QVL 登录/会员注册 登录/会员注册
生产中
G3VM-31QVL(TR05)
生产中
G3VM-61QV2H 登录/会员注册 登录/会员注册
生产中
G3VM-61QV2H(TR05)
生产中
G3VM-61QV2L 登录/会员注册 登录/会员注册
生产中
G3VM-61QV2L(TR05)
生产中
G3VM-61QVH 登录/会员注册 登录/会员注册
生产中
G3VM-61QVH(TR05)
生产中
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