G3VM-□MT MOS FET继电器模块

漏电流1pA以下,有助于设备的高可靠性

  • 负载电压 20V/60V/100V *1
  • 具备T开关功能,实现fA等级的极小漏电流,有助于实现与以往干簧继电器同等的测量性能 *2
  • 采用小型封装,有助于节省印刷电路板上的封装空间

*1. G3VM-21MT:高隔离型 (插入损耗 typ. -3dB@1GHz)
(隔离 typ. -20dB@1GHz_5针 ON状态下 GND连接时)
G3VM-61MT:高电流型 (连续负载电流Io=800mA)
G3VM-101MT:高耐压型 (负载电压Voff=100V)

*2. 测量条件 G3VM-21MT@Voff=20V, G3VM-61MT@Voff=50V, G3VM-101MT@Voff=80V

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商品目录

数据类型 文件名 更新日期
目录 目录 G3VM-□MT
注意事项 MOS FET继电器 共通注意事项
选型指南 选型指南 G3VM MOS FET RELAY 选型指南
用语说明 MOS FET继电器 用语说明
产品文档 MOS FET继电器 INDEX

型号一览

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型号 2D/3D CAD*1 ECAD*2 购买 RoHS证书 生产终止
G3VM-101MT 登录/会员注册 登录/会员注册
RoHS证书 生产中
G3VM-101MT(TR01) 登录/会员注册 登录/会员注册
RoHS证书 生产中
G3VM-21MT 登录/会员注册 登录/会员注册
RoHS证书 生产中
G3VM-21MT(TR01)
RoHS证书 生产中
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RoHS证书 生产中
G3VM-61MT(TR01) 登录/会员注册 登录/会员注册
RoHS证书 生产中
  • *1关于2D,3D CAD数据的规格,请浏览如下网站。
  • *2外部网站(Ultra Librarian)将在新窗口中打开。
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