G3VM-353A/D/B/E MOS FET继电器 DIP通用型

产品图片 G3VM-□A□/□D□/□B□/□E□

DIP封装通用MOS FET继电器

  • 形状 DIP4针/DIP6针
  • 接点结构 1b(SPST-NC)
  • 负载电压 350V

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数据类型 文件名 更新日期
目录 目录 G3VM-353A/D/B/E
注意事项 MOS FET继电器 共通注意事项
选型指南 选型指南 G3VM MOS FET RELAY 选型指南
用语说明 MOS FET继电器 用语说明
产品文档 MOS FET继电器 INDEX
技术解说 The解決 [MOS FET 继电器篇] 会员専用

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型号 2D/3D CAD*1 ECAD*2 购买 生产状况
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