G3VM-21QR□/41QR□□/61QR□ MOSFET继电器 S-VSON(L)4针 低端子间电容&低导通电阻型 (低C×R)

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小型S-VSON(L)封装
实现低C×R的MOSFET继电器

注. 标记内容与实际产品有所不同。

  • L2.0×W1.45×H1.3mm的S-VSON(L) 4针 小型封装,有助于节省基板空间
  • 负载电压 20V/40V/60V
  • 凭借低C×R设计,在高频段展现出色的输出特性
    G3VM-21QR:凭借低C×R=4.08pF˙Ω(标准)
    G3VM-21QR1:凭借低C×R=5.2pF˙Ω(标准)
    G3VM-41QR4:凭借低C×R=13pF˙Ω(标准)
    G3VM-41QR10:凭借低C×R=4.95pF˙Ω(标准)
    G3VM-61QR/61QR3:凭借低C×R=13.2pF˙Ω(标准)
  • 实现高速响应
    G3VM-61QR3:动作时间0.25ms(最大)、复位时间0.2ms(最大)
    G3VM-21QR:动作时间0.08ms(最大)、复位时间0.12ms(最大)
    G3VM-21QR1/41QR4:动作时间0.15ms(最大)、复位时间0.1ms(最大)
  • 支持高温(使用环境温度:-40℃~110℃)

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可以从“型号一览”中确认带有 CAD 数据的型号。

商品目录

数据类型 文件名 更新日期
目录 目录 G3VM-21QR□/41QR□□/61QR□
注意事项 MOS FET继电器 共通注意事项
选型指南 选型指南 G3VM MOS FET RELAY 选型指南
用语说明 MOS FET继电器 用语说明
产品文档 MOS FET继电器 INDEX
技术解说 The解決 [MOS FET 继电器篇] 会员専用
软件 仿真模型

型号一览

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