G3VM-61YR MOS FET继电器 WSON4针 低端子间电容&低导通电阻型 (低C×R)

G3VM-61YR.png

小型WSON封装
适用于高频信号开关的MOS FET继电器

  • 0.8×2.0×1.45mm、重量仅为0.01g的小型轻量封装,有助于节省基板空间。
  • 凭借低C×R=13.2pF ̇Ω、 COFF (标准) =12pF、RON (标准) =1.1Ω,在高频段具有出色的输出特性
  • 可应对高温环境 (使用环境温度:-40°C~110°C)

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商品目录

数据类型 文件名 更新日期
目录 目录 G3VM-61YR
注意事项 MOS FET继电器 共通注意事项
选型指南 选型指南 G3VM MOS FET RELAY 选型指南
用语说明 MOS FET继电器 用语说明
技术解说 The解決 [MOS FET 继电器篇] 会员専用
软件 仿真模型

型号一览

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