vol.249 October 2021

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用途示例:半导体自动检查装置

专注ONBOARD

通过整装化实现漏电流1pA以下

T型电路结构的MOS FET继电器模组G3VM-□MT大幅减少了漏电流,还可用于原先难以替代干簧继电器的用途(高精度测量设备)。

将技术(T型电路)与构想(整装化)相融合,实现漏电流1pA以下

技术:由3个MOS FET构成T型电路主线OFF、子线ON时:漏电流几乎均流入GND。将中间点连接GND X 构想:T型电路的整装化 / MOS FET继电器模组 产品系列

专注追求!

G3VM-□MT 漏电流较小化+长寿命+省空间化、省工时化

漏电流较小化

实现了以往光敏半导体MOS FET难以达到的漏电流较小化(1pA以下),有助于提高设备的测量精度。

施加电压与漏电流的关系 漏电流 以往的光敏半导体MOS FET G3VM-□MT

半导体继电器特有的长寿命

采用无接点磨损的长寿命半导体继电器(无接点输出),有助于大幅减少维护工时和部件成本。

开闭寿命变长 机械继电器 干簧继电器 G3VM-□MT

通过整装化实现省面积化和省工时化

将输出电路的接线内置于同个封装内,与在电路板面上构建T型电路相比,省面积化有助于实现装置的小型化,1/3的封装工时有助于实现省工时化。

在电路板上使用本公司VSON产品构建T型电路时:35.4mm2(占用面积大,需要复杂的双层接线)→T模组 18.75mm2(体积小,简化了复杂的接线)面积约减少47%

*1. 普通信号用继电器的机械耐久性次数参考值为5,000万次。
*2. 普通干簧继电器的耐久性次数参考值为1亿次。此外,G3VM-□MT(T模组)为半导体继电器,寿命与开闭次数无关。记述的寿命为机械耐久性。

*截至2021年9月的内容。
请注意,规格如有更改,恕不另行通知。

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